型号：2SD1258制造商：Panasonic结构：NPN用途：高hFE VCBO（V）200（V）VCEO（V）150（V）hFE最小值：500 hFE最大值：2000包装类型：N-A1，N-G1图1是功率晶体管的符号，其中e，b和c分别代表发射极，基极和集电极。图2是传统NPN型器件的部分结构的横截面图。在该图中，1是发射极区域，2是基极区域，3是集电极区域，4是发射极结，5是集电极结。图3显示了其工作原理（对于PNP型器件，两组电源的极性需要反转），其中基极施加约0.6V的正向偏压，并且集电极偏置很多较高的反向偏压（数十至数百伏）。通过发射极结的电流由发射极区注入基极区的电子形成。这些电子中的一小部分与基极区域中的空穴复合而成为基极电流Ib，并且大部分电子可以扩散到集电极结。电场被收集到集电极区域中以形成集电极电流Ic。图4是对应于图4的器件的共发射极输出特性。 3，它反映了设备的基本控制功能与不同Ib下的Ib和Vce之间的关系。如图4所示，特征曲线清楚地分为三个区域。在线性区域中，Ic与Ib成比例并受其控制，并且器件具有放大倍数（倍数β= Ic / Ib）;在截止区域，器件几乎不导电;在饱和区，器件的饱和电压降仅为1到2V。上下（由于饱和区CE太小，集电极收集电子收集效率非常低，器件失去放大）。在20世纪50年代和60年代，功率晶体管主要是钽合金管。制作简单，但压力不高（几十伏），开关频率也低（十几千赫兹）。 20世纪80年代的大多数高功率高压器件是硅平面管，它们是通过二次扩散方法生产的。其中，GTR的容量是所有功率晶体管中最大的。在20世纪80年代中期，有600A / 150V，400A / 550V，50A / 1000V等。 GTR的开关频率的上限约为100kHz。功率晶体管广泛用于各种中小型电力电子电路中进行切换。 GTR可用于逆变器，逆变器，斩波器等设备的主电路。由于GTR不需要换向回路，因此工作频率至少比晶闸管高10倍，因此可以简化布线，提高效率。晶闸管可以用几十千瓦的上述装置代替。但是，GTR的过载能力差，耐压不易增加，容量小。当不使用复合晶体管结构时，GTR具有较低的放大率（上下10倍）。 GTR的开关频率低于低容量功率FET（具有复合结构，频率仅约为1 kHz）。因此，功率晶体管的应用受到一些限制。自20世纪80年代中期以来，GTR正朝着高容量，复合管和模块组件化的方向发展，取代数百千瓦或更高功率器件中的晶闸管。