Cree在3月1日宣布，已完成将其LED产品业务部门（“ CreeLED”）出售给SMARTGlobal Holdings，Inc.的权利。SMART已将CreeLED品牌授权给SMART业务组合。根据交易条款，Cree将获得3亿美元，包括5,000万美元的现金购买价格，以及将在2023年到期时支付的1.25亿美元卖方票据。在CreeLED交易之后的前四个完整季度，Cree可能还会收到高达1.25亿美元的利润，或者可以以三年期卖方账单的形式支付。 Cree将于今年晚些时候将公司名称更改为Wolfspeed。 Cree首席执行官Gregg Lowe表示：“完成CreeLED的销售代表了我们转型过程中的重要里程碑，这使该公司成为纯粹的全球半导体巨头，并引领着从硅（Si）到硅的行业领导碳化物（SiC）。 ）转换。” “全球行业希望通过更小，更可扩展的电源系统来提高效率和性能。这种发展趋势使我们更加专注并加强了持续投资，以利用Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）解决方案在电动汽车（EV），5G和工业应用中拥有数十年的增长机会。”通过不断的产能扩张计划和技术领先优势，Cree已将行业从硅业推向了碳化硅。该公司的发展包括在北卡罗来纳州的超级材料工厂和在纽约马西的碳化硅制造工厂。后者建成后，它将成为世界上最大的碳化硅制造厂和世界上第一个200mm碳化硅制造厂。该硅制造厂预计将于2022年开始生产。众所周知，Cree是SiC / GaN材料和相关产品的供应商。 SiC和GaN是两种宽带隙半导体，具有更好的导热性，更高的开关频率和更高的温度，可以承受更高的电压。因此，在制造器件时使用SiC和GaN可以使芯片更小，更轻，更快，更高效和更可靠，并且损耗更少。这些属性使其在许多应用中引起了人们的关注，尤其是在电源应用中。因此，SiC和GaN广泛用于5G基站，尤其是功率放大器和RF芯片，在电动汽车和其他领域具有广阔的应用前景。未来对SiC和GaN的需求可能会增加。根据IHSMarkit数据，2018年SiC功率器件的市场规模约为3.9亿美元。在电动汽车的巨大需求以及光伏风力发电和充电桩领域对效率和功耗要求的提高的推动下，碳化硅功率器件的市场预计将达到2027年。规模将超过100亿美元。 ，并且从18-27的9年复合增长率接近40％。根据分析机构Yole的数据，2017年至2023年全球GaN器件市场的复合年增长率为4.6％。这对包括Cree在内的供应商来说是个好兆头。经过多年的发展，Cree现在具有生产SiC功率器件和GaNRF射频器件的能力。其中，Wolfspeed在全球SiC功率器件市场中占有最大份额。该公司继续增加对碳化硅（SiC）制造和研发的投资。支持全球对这些技术不断增长的需求。考虑到公司在这个快速增长的市场中巨大的未来机会，许多投资者和行业专业人士对Cree持乐观态度。